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            1号平台彩票-第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望革新SSD

            admin 2019-07-01 245人围观 ,发现0个评论

            专心于MRAM(磁阻内存)研讨的Everspin最近宣告,继去年底初次供给预产样品之后,现在现已开端试产第二代STT-MRAM(自旋搬运矩磁阻内存)。

            MRAM是一种非易失性存储,其远景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等职业巨子多年来一向都在研讨,读写速度能够比美SRAM、DRAM等传统1号平台彩票-第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望革新SSD内存,当一起又对错易失性的,也便是能够断电保存数据,归纳了传统内存、闪存的有点。

            STT-MRAM则进一步经过自旋电流完成数据写入,具有结构简略、成本低、损耗小、速度快等一系列长处,但容量密度提高困难。

            早在2012年的时分,Everspin就发布了第一代STT-MRAM,40nm工艺制作,封装在一颗DDR3规范模块中,兼容JEDEC DDR3-800,大律师的小老婆但容量只要256Mb(32MB),使其首要只能用于嵌入式范畴。

            最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制作工艺,封装于DDR4,支撑8-bit或许16-bit界面,传输率1333MT/s(667MHz),容量增大到了1Gb(128MB),翻了两番。

            这或许能让MRAM走进更广泛的使用范畴,但要想追上DRAM内存的存储密度还有很长的路要走,更甭说比美NAND闪存了。

            因而,在很长一段时间内,都不太可能看到机会STT-MRAM的内存或存储产品,但或许能完成混合式SSD,比方讲部分或悉数DRAM缓存更换成MRAM,功能更强,1号平台彩票-第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望革新SSD还不怕掉电变砖。

            事实上,IBM、希捷都在这么做了,近两年还都展现了一些原型。

            Everspin还有一个共同优势,那便是仅有一个能供给独立MRAM芯片的厂商,而在未来道路图上,他们方案下一步使用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工艺,进一步提高STT-MRAM的功能和容量。

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